реферат, рефераты скачать Информационно-образоательный портал
Рефераты, курсовые, дипломы, научные работы,
реферат, рефераты скачать
реферат, рефераты скачать
МЕНЮ|
реферат, рефераты скачать
поиск
Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

[pic]

Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

Студент:

Черепанов К.А.

Группа: Р-

207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры

(электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода

КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных

температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр

(температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится

малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

1. Краткая характеристика диода 4

2. Паспортные параметры: 4

1. Электрические 4

2. Предельные эксплуатационные 4

3. Вольт-амперная характеристика 5

1. При комнатной температуре 5

2. При повышенной 6

4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6

5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6

6. Определение сопротивления базы rб 9

1. Приближенное 9

2. Точное 9

7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10

8. Библиографический список 10

9. Затраты времени на: 10

1. Информационный поиск 10

2. Расчеты 10

3. Оформление 10

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования

переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в

металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема

соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод

соединен с металлическим основанием корпуса.

Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]

[pic]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А

Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при

tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление

переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

Общая таблица параметров

|Предельные значения |Tk |Значения параметров при Т= 25?С |R т|

|параметров при Т=25?С |max| |п-к|

| |(Tп| |, |

| |мах| |?С/|

| |) | |Вт |

| |[Тм| | |

| |ах]| | |

| |?С | | |

|I | |Uоб|Uоб|Iпр| |fма| |Uпр | |tвос,| |I | |

|пр,| |р, |р |г | |х, | |(Uпр| |обр | |обр(I | |

|ср | |и, |мах|(Iп| |кГц| |, | |(tвос| |обр, | |

|max| |п |, В|р, | | | |ср) | |, обр| |ср) [I| |

| | |мах| |уд)| | | |[Uпр| |при | |обр, | |

|А | |, В| |мах| | | |, | |Tп | |и, п, | |

| | | | |, А| | | |и], | |мах),| |при Т | |

| | | | | | | | |В | |мкс | |п | |

| | | | | | | | | | | | |мах], | |

| | | | | | | | | | | | |мА | |

| | | | | | | | | | | | | | |

| |Т?С| | | |tи(| | | |Iпр | |Iп|Uпр| | |

| | | | | |tпр| | | |(Iпр| |р,|, | | |

| | | | | |), | | | |, | |и,|и, | | |

| | | | | |мс | | | |ср) | |А |В | | |

| | | | | | | | | |[Iпр| | | | | |

| | | | | | | | | |, | | | | | |

| | | | | | | | | |и], | | | | | |

| | | | | | | | | |А | | | | | |

| | | | | | | | | | | | | | | |

|10 |85 |200|200|100|10 |100|140|1 |10 |0,3 |1 |20 |0,2 |1,5|

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

[pic][pic]

При повышенной

[pic][pic]

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С

| | | |Зависи| | | |

| | | |мость | | | |

| | | |R= от | | | |

| | | |Uпр | | | |

|Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 |

|R= |0,3 |0,23333|0,16 |0,1125|0,0909|0,0733|

| | |33 | | |09 |33 |

| | | |Зависи| | |

| | | |мость | | |

| | | |r~ от | | |

| | | |Uпр | | |

|Uпр |0,1 |0,2 |0,3 |0,4 |0,5 |

|r~ |0,1 |0,06666|0,05 |0,0444|0,0384|

| | |67 | |44 |62 |

| | | |Зависи| | | |

| | | |мость | | | |

| | | |R= от | | | |

| | | |Uобр | | | |

|Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |300 |

|R= |357142|6666666|833333|487804|277777|130434|

| |9 |,7 |3 |9 |8 |8 |

| | | |Зависи| | |

| | | |мость | | |

| | | |r~ от | | |

| | | |Uобр | | |

|Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |

|r~ |500000|2500000|555555|263157|115740|

| |00 |0 |6 |9 |7 |

| | | |Зависи| | | |

| | | |мость | | | |

| | | |Cдиф | | | |

| | | |от Uпр| | | |

|Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 |

|Сдиф |0,08 |0,12 |0,2 |0,32 |0,44 |0,6 |

Зависимост Сб от Uобр

[pic]

Определение величины TKUпрям TKIобр

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

[pic]

[pic]

Точное

[pic]

[pic]

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

Библиографический список

1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К.,

Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М.,

Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432

с., ил.

3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л.

Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая

радиобиблиотека. Вып. 1158)

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы.

Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред.

Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А-

под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

Информационный поиск-72 часf

Расчеты-1час (67 мин.)

Оформление- 6 часов (357мин.)

-----------------------

[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США

-----------------------

Rобр

Сб

Ск

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]



© 2003-2013
Рефераты бесплатно, рефераты литература, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты медицина, рефераты на тему, сочинения, реферат бесплатно, рефераты авиация, курсовые, рефераты биология, большая бибилиотека рефератов, дипломы, научные работы, рефераты право, рефераты, рефераты скачать, рефераты психология, рефераты математика, рефераты кулинария, рефераты логистика, рефераты анатомия, рефераты маркетинг, рефераты релиния, рефераты социология, рефераты менеджемент.