реферат, рефераты скачать Информационно-образоательный портал
Рефераты, курсовые, дипломы, научные работы,
реферат, рефераты скачать
реферат, рефераты скачать
МЕНЮ|
реферат, рефераты скачать
поиск
Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

[pic]

| |Элемент |Характеристика |

|1 |R1 – R4 |4,7 кОм (20% |

|2 |R5 |3,3 кОм (20% |

|3 |C1 – C4 |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 |

|4 |T1 – T4 |Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый |

| | |полосковый. |



© 2003-2013
Рефераты бесплатно, рефераты литература, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты медицина, рефераты на тему, сочинения, реферат бесплатно, рефераты авиация, курсовые, рефераты биология, большая бибилиотека рефератов, дипломы, научные работы, рефераты право, рефераты, рефераты скачать, рефераты психология, рефераты математика, рефераты кулинария, рефераты логистика, рефераты анатомия, рефераты маркетинг, рефераты релиния, рефераты социология, рефераты менеджемент.