реферат, рефераты скачать Информационно-образоательный портал
Рефераты, курсовые, дипломы, научные работы,
реферат, рефераты скачать
реферат, рефераты скачать
МЕНЮ|
реферат, рефераты скачать
поиск
Архитектура Flash-памяти

Архитектура Flash-памяти

Министерство науки и образования Украины

Институт социального управления экономики и права

Кафедра специализированных компьютерных систем

Пояснительная записка

ІСУЕП 04254.009

до курсового проекта

с дисциплины: «Архитектура ЭВМ»

на тему:

«Архитектура Flash-памяти»

|Проверил: |Подготовил: |

|проф. |студент III курса |

|Романкевич О.М. |группы КС-14 |

|ст. преп. |Крывонижко К.Н. |

|Рудаков К.С. | |

_____________

(оценка)

«___» ________

«___» ________

_____________

_____________

(подпись)

(подпись)

г. Черкассы 2004

Содержание

1. Введение 3-4

1. Что такое flash-

память?..............................................................

......5-9

2. Организация flash-памяти…………………………………………10-14

3. Архитектура флэш-памяти………………………………………..14-18

4. Карты памяти (флэш-карты)………………………………………19-28

1. Вывод………………………………………………………………..29

2.

Литература............................................................

..............................30

1.Введение

Технология флэш-памяти появилась около 20-ти лет назад. В конце 80-х

годов прошлого столетия флэш-память начали использовать в качестве

альтернативы UV-EPROM. С этого момента интерес к флэш-памяти с каждым годом

неуклонно возрастает. Внимание, которое уделяется флэш-памяти, вполне

объяснимо – ведь это самый быстрорастущий сегмент полупроводникового рынка.

Ежегодно рынок флэш-памяти растет более чем на 15%, что превышает суммарный

рост всей остальной полупроводниковой индустрии.

Сегодня флэш-память можно найти в самых разных цифровых устройствах. Её

используют в качестве носителя микропрограмм для микроконтроллеров HDD и CD-

ROM, для хранения BIOS в ПК. Флэш-память используют в принтерах, КПК,

видеоплатах, роутерах, брандмауэрах, сотовых телефонах, электронных часах,

записных книжках, телевизорах, кондиционерах, микроволновых печах и

стиральных машинах... список можно продолжать бесконечно. А в последние

годы флэш становится основным типом сменной памяти, используемой в цифровых

мультимедийных устройствах, таких как mp3-плееры и игровые приставки. А все

это стало возможным благодаря созданию компактных и мощных процессоров.

Однако при покупке какого-либо устройства, помещающегося в кармане, не

стоит ориентироваться лишь на процессорную мощность, поскольку в списке

приоритетов она стоит далеко не на первом месте.

Начало этому было положено в 1997 году, когда флэш-карты впервые стали

использовать в цифровых фотокамерах.

При выборе портативных устройств самое важное, на мой взгляд - время

автономной работы при разумных массе и размерах элемента питания. Во многом

это от памяти, которая определяет объем сохраненного материала, и,

продолжительность работы без подзарядки аккумуляторов. Возможность хранения

информации в карманных устройствах ограничивается скромными энергоресурсами

Память, обычно используемая в ОЗУ компьютеров, требует постоянной подачи

напряжения. Дисковые накопители могут сохранять информацию и без

непрерывной подачи электричества, зато при записи и считывании данных

тратят его за троих. Хорошим выходом оказалась флэш-память, не

разряжающаяся самопроизвольно. Носители на ее основе называются

твердотельными, поскольку не имеют движущихся частей. К сожалению, флэш-

память - дорогое удовольствие: средняя стоимость ее мегабайта составляет 2

доллара, что в восемь раз выше, чем у SDRAM, не говоря уж о жестких дисках.

А вот отсутствие движущихся частей повышает надежность флэш-памяти:

стандартные рабочие перегрузки равняются 15 g, а кратковременные могут

достигать 2000 g, т. е. теоретически карта должна превосходно работать при

максимально возможных космических перегрузках, и выдержать падения с

трёхметровой высоты. Причем в таких условиях гарантируется функционирование

карты до 100 лет.

Многие производители вычислительной техники видят память будущего

исключительно твердотелой. Следствием этого стало практически одновременное

появление на рынке комплектующих нескольких стандартов флэш-памяти.

2.Что такое flash-память?

Флэш-память - особый вид энергонезависимой перезаписываемой

полупроводниковой памяти.

. Энергонезависимая - не требующая дополнительной энергии для

хранения данных (энергия требуется только для записи).

. Перезаписываемая - допускающая изменение (перезапись) хранимых в

ней данных.

. Полупроводниковая (твердотельная) - не содержащая механически

движущихся частей (как обычные жёсткие диски или CD), построенная

на основе интегральных микросхем (IC-Chip).

В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти, ячейка флэш-

памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит

всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти

прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в

миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным

находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит

информации. Флэш-память исторически происходит от ROM (Read Only Memory)

памяти, и функционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш

хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие от DRAM, при

отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают. Замены памяти SRAM и

DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш

работает существенно медленнее и имеет ограничение по количеству циклов

перезаписи (от 10.000 до 1.000.000 для разных типов).

Надёжность/долговечность: информация, записанная на флэш-память, может

храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна выдерживать

значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающие предельно

допустимые для обычных жёстких дисков). Основное преимущество флэш-памяти

перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в том, что флэш-память

потребляет значительно (примерно в 10-20 и более раз) меньше энергии во

время работы. В устройствах CD-ROM, жёстких дисках, кассетах и других

механических носителях информации, большая часть энергии уходит на

приведение в движение механики этих устройств. Кроме того, флэш-память

компактнее большинства других механических носителей. Флэш-память

исторически произошла от полупроводникового ROM, однако ROM-памятью не

является, а всего лишь имеет похожую на ROM организацию. Множество

источников (как отечественных, так и зарубежных) зачастую ошибочно относят

флэш-память к ROM. Флэш никак не может быть ROM хотя бы потому, что ROM

(Read Only Memory) переводится как "память только для чтения". Ни о какой

возможности перезаписи в ROM речи быть не может! Небольшая, по началу,

неточность не обращала на себя внимания, однако с развитием технологий,

когда флэш-память стала выдерживать до 1 миллиона циклов перезаписи, и

стала использоваться как накопитель общего назначения, этот недочет в

классификации начал бросаться в глаза. Среди полупроводниковой памяти

только два типа относятся к "чистому" ROM - это Mask-ROM и PROM. В отличие

от них EPROM, EEPROM и Flash относятся к классу энергонезависимой

перезаписываемой памяти (английский эквивалент - nonvolatile read-write

memory или NVRWM).

ROM:

. ROM (Read Only Memory) - память только для чтения. Русский эквивалент

- ПЗУ (Постоянно Запоминающее Устройство). Если быть совсем точным,

данный вид памяти называется Mask-ROM (Масочные ПЗУ). Память устроена

в виде адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка которого

может кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во

время производства путём нанесения по маске (отсюда и название)

алюминиевых соединительных дорожек литографическим способом. Наличие

или отсутствие в соответствующем месте такой дорожки кодировало "0"

или "1". Mask-ROM отличается сложностью модификации содержимого

(только путем изготовления новых микросхем), а также длительностью

производственного цикла (4-8 недель). Поэтому, а также в связи с тем,

что современное программное обеспечение зачастую имеет много

недоработок и часто требует обновления, данный тип памяти не получил

широкого распространения.

Преимущества:

1. Низкая стоимость готовой запрограммированной микросхемы (при

больших объёмах производства).

2. Высокая скорость доступа к ячейке памяти.

3. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к

электромагнитным полям.

Недостатки:

1. Невозможность записывать и модифицировать данные после

изготовления.

2. Сложный производственный цикл.

. PROM - (Programmable ROM), или однократно Программируемые ПЗУ. В

качестве ячеек памяти в данном типе памяти использовались плавкие

перемычки. В отличие от Mask-ROM, в PROM появилась возможность

кодировать ("пережигать") ячейки при наличии специального устройства

для записи (программатора). Программирование ячейки в PROM

осуществляется разрушением ("прожигом") плавкой перемычки путём подачи

тока высокого напряжения. Возможность самостоятельной записи

информации в них сделало их пригодными для штучного и мелкосерийного

производства. PROM практически полностью вышел из употребления в конце

80-х годов.

Преимущества:

1. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к

электромагнитным полям.

2. Возможность программировать готовую микросхему, что удобно для

штучного и мелкосерийного производства.

3. Высокая скорость доступа к ячейке памяти.

Недостатки:

1. Невозможность перезаписи

2. Большой процент брака

3. Необходимость специальной длительной термической тренировки, без

которой надежность хранения данных была невысокой

NVRWM:

. EPROM

Различные источники по-разному расшифровывают аббревиатуру EPROM - как

Erasable Programmable ROM или как Electrically Programmable ROM

(стираемые программируемые ПЗУ или электрически программируемые ПЗУ).

В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соответственно

появилась возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание

ячеек EPROM выполняется сразу для всей микросхемы посредством

облучения чипа ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами в течение

нескольких минут. Микросхемы, стирание которых производится путем

засвечивания ультрафиолетом, были разработаны Intel в 1971 году, и

носят название UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) - ультрафиолет).

Они содержат окошки из кварцевого стекла, которые по окончании

процесса стирания заклеивают.

Достоинство: Возможность перезаписывать содержимое микросхемы

Недостатки:

1. Небольшое количество циклов перезаписи.

2. Невозможность модификации части хранимых данных.

3. Высокая вероятность "недотереть" (что в конечном итоге приведет к

сбоям) или передержать микросхему под УФ-светом (т.н. overerase -

эффект избыточного удаления, "пережигание"), что может уменьшить срок

службы микросхемы и даже привести к её полной негодности.

. EEPROM (EEPROM или Electronically EPROM) - электрически стираемые ППЗУ

были разработаны в 1979 году в той же Intel. В 1983 году вышел первый

16Кбит образец, изготовленный на основе FLOTOX-транзисторов (Floating

Gate Tunnel-OXide - "плавающий" затвор с туннелированием в окисле).

Главной отличительной особенностью EEPROM (в т.ч. Flash) от ранее

рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность

перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине

микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность

производить стирание отдельной ячейки при помощи электрического тока.

Для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется автоматически при записи

в нее новой информации, т.е. можно изменить данные в любой ячейке, не

затрагивая остальные. Процедура стирания обычно существенно длительнее

процедуры записи.

Преимущества EEPROM по сравнению с EPROM:

1. Увеличенный ресурс работы.

2. Проще в обращении.

Недостаток: Высокая стоимость

. Flash (полное историческое название Flash Erase EEPROM):

Изобретение флэш-памяти зачастую незаслуженно приписывают Intel,

называя при этом 1988 год. На самом деле память впервые была

разработана компанией Toshiba в 1984 году, и уже на следующий год было

начато производство 256Кбит микросхем flash-памяти в промышленных

масштабах. В 1988 году Intel разработала собственный вариант флэш-

памяти.

Во флэш-памяти используется несколько отличный от EEPROM тип ячейки-

транзистора. Технологически флэш-память родственна как EPROM, так и

EEPROM. Основное отличие флэш-памяти от EEPROM заключается в том, что

стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо

для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер

такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах

флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ. Следует заметить, что

существуют микросхемы, позволяющие работать с блоками разных размеров

(для оптимизации быстродействия). Стирать можно как блок, так и

содержимое всей микросхемы сразу. Таким образом, в общем случае, для

того, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается весь блок,

где содержится подлежащий изменению байт, стирается содержимое блока,

изменяется значение байта в буфере, после чего производится запись

измененного в буфере блока. Такая схема существенно снижает скорость

записи небольших объёмов данных в произвольные области памяти, однако

значительно увеличивает быстродействие при последовательной записи

данных большими порциями.

Преимущества флэш-памяти по сравнению с EEPROM:

1. Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт

того, что стирание информации во флэш производится блоками.

2. Себестоимость производства флэш-памяти ниже за счёт более простой

организации.

Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти.

| |

3.Организация flash-памяти

Ячейки флэш-памяти бывают как на одном, так и на двух транзисторах.

В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из

одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной

областью ("плавающим" затвором - floating gate), способной хранить заряд

многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодирует один бит информации.

При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух способов

(зависит от типа ячейки): методом инжекции "горячих" электронов или методом

туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с

"плавающего" затвора) производится методом тунеллирования.

Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логический "0", а

его отсутствие - как логическая "1". Современная флэш-память обычно

Страницы: 1, 2, 3, 4



© 2003-2013
Рефераты бесплатно, рефераты литература, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты медицина, рефераты на тему, сочинения, реферат бесплатно, рефераты авиация, курсовые, рефераты биология, большая бибилиотека рефератов, дипломы, научные работы, рефераты право, рефераты, рефераты скачать, рефераты психология, рефераты математика, рефераты кулинария, рефераты логистика, рефераты анатомия, рефераты маркетинг, рефераты релиния, рефераты социология, рефераты менеджемент.