реферат, рефераты скачать Информационно-образоательный портал
Рефераты, курсовые, дипломы, научные работы,
реферат, рефераты скачать
реферат, рефераты скачать
МЕНЮ|
реферат, рефераты скачать
поиск
Дослідження фототранзистора

Дослідження фототранзистора

Лабораторна робота №4

Тема: Дослідження фототранзистора


Мета роботи: Вивчення основних фізичних закономірностей, визначаючих властивості та параметри фототранзисторів, дослідження світлових характеристик цих приладів.

Домашнє завдання

1.                Вивчити умовні позначення та маркування основних типів фототранзисторів.

2.                Привести паспортні дані для фототранзистора ФТ-1К, який використовується в дослідженнях.

3.                Підготувати таблиці для експериментального вивчення досліджувальних пристроїв.

4.                Ознайомитися з теоретичними відомостями по даній роботі.

Робоче завдання

1.                Зберіть схему установки для проведення основних параметрів фототранзистора ФТ-1К.

2.                Змінюючи інтенсивність освітлення, за рахунок зміни положення джерела світла, проведіть вимірювання струму через фототранзистор без світлофільтра.

3.                 Повторіть пункт 2, використовуючи послідовно синій, зелений та червоний світлофільтри.

Зміст звіту

1.                Паспортні дані досліджуваного фототранзистора ФТ -1К.

2.                Таблиці та графіки (по даним отриманим в результаті дослідження).

3.                Відповіді на контрольні питання.

4.                Висновки по роботі.

5.                Перелік використання літератури.

Хід роботи

Паспортні характеристики фототранзистора ФТ-1К


Площа фоточутливої , 2.8 мм.

Діапазон спектральних характеристик , 0.5 … 0.8 мкм.

Максимальний спектр характеристики , 0.9 … 1.12 мкм.

Робоча напруга, 4-5 В.

Темновий струм не більше, 3 мкА.

Інтегральна струмова чутливість, не менше 0.4 мкА/см.

Імпульсна стала часу, не більше с.

Маса, не більше 0.9 г.

Результати дослідження занесені таб. 1, таб. 2, таб. 3 та таб. 4:

-                     Без фільтра


таблиця 1

d, мм

1

2

3

4

5

6

7

U, B

0.12

0.3

0.66

0.95

1.37

1.42

1.43


-                     Синій фільтр


таблиця 2

d, мм

1

2

3

4

5

6

7

U, B

0.07

0.22

0.47

1.0

1.35

1.4

1.42


-                     Червоний фільтр


таблиця 3

d, мм

1

2

3

4

5

6

7

U, B

0.1

0.2

0.43

0.89

1.35

1.41

1.44


-                     Зелений фільтр

таблиця 4

d, мм

1

2

3

4

5

6

7

U, B

0.06

0.22

0.47

1.07

1.32

1.42

1.43


Графіки експериментальних досліджень зображено на наступних рисунках

1)                Без фільтра


Рис.1


2)                Синій фільтр


Рис.2


3)                Червоний фільтр


Рис.3


4)                Зелений фільтр


Рис. 4


Контрольні питання

1.                Поясніть фізичні явища, що відбуваються в фототранзисторі при його освітлені.

2.                Поясніть фізичний зміст довгохвильової границі, квантової ефективності, чутливості.

3.                Наведіть основні конструкції та схемне застосування фототранзистора.

4.                Наведіть еквівалентну схему фото резистора та поясніть її.

5.                Наведіть приклад застосування фототранзистора.

6.                Чим викликана менша швидкодія фототранзистора порівняно з фотодіодом?

7.                Які типи фототранзисторів існують?

8.                Наведіть основні матеріали та домішки до них, що використовуються при виготовленні фототранзисторів.


Висновок: Досліджено основні фізичні закономірності, а також властивості та параметри фототранзисторів. По отриманим даним побудовано залежності (рис.1, рис. 2, рис.3 та рис. 4) параметрів. Визначено фізичні та світлові характеристики цих приладів. Побудовані практичні залежності майже відповідають теоретичним(ідеальним) характеристикам фототранзисторів.



Відповіді на контрольні запитання:





Список літератури


1.                Акаєв Н. А., Наумов Ю. Е., Флоркин В. Т. Основы микроэлектроники.: М.: Радио и связь, 1991.

2.                Росадо Л. Физическая электроника и микроелектроника.: М.: Висшая школа, 1991.

3.                Манаев Е. И. Основы радиоелектроники.: М.: Радио и связь,1985.

4.                Крутякова М. Г., Чарыкова Н. А., Юдин В. В. Полупроводниковые приборы и основы их проэктирования.: М.: Радио и связь, 1983.

5.                Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.: Киев: Техника, 1984.

6.                Герасимов В. Т. основы промышленой електроники.: М.: Вишая школа, 1978.




© 2003-2013
Рефераты бесплатно, рефераты литература, курсовые работы, реферат, доклады, рефераты медицина, рефераты на тему, сочинения, реферат бесплатно, рефераты авиация, курсовые, рефераты биология, большая бибилиотека рефератов, дипломы, научные работы, рефераты право, рефераты, рефераты скачать, рефераты психология, рефераты математика, рефераты кулинария, рефераты логистика, рефераты анатомия, рефераты маркетинг, рефераты релиния, рефераты социология, рефераты менеджемент.